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感应加热电源功率器件散热器设计?

远拓机电 人气:145 发表时间:2020-07-02 08:32:57

感应加热电源功率器件散热器设计

   半导体器件对温度具有明显的敏感性, 比如在25℃标称的IGBT额定电流,当环境温度在80℃时,允许的工作电流可以下降到25℃标称额定电流的50%。电磁感应加热电源中主要使用的功率器件有输人整流桥模块和逆变器开关器件IGBT(或MOSFET) , 因其是产生热源的器件, 温升的增加不仅会降低加热电源的可靠性,甚至会造成功率器件性能恶化与失效,使电源平均无故障工作时间缩短,因此,必须给功率器件创造良好的散热条件,以提高加热电源的可靠性。功率半导体器件的散热设计,也就成为电磁感应加热电源设计中一项不可缺少的重要任务。

功率器件在高频状态下开通、关断产生的开关损耗以及稳态下的导通损耗,产生的热量积累是使器件结温升高的主要原因,而半导体器件一般允许的结温Tmx=150~175℃, 为了限制热积累造成半导体功率器件结温的升高超出最大允许结温,使功率器件在安全结温下可靠工作,就必须解决功率器件的散热,降低结温。解决半导体温升高的措施除采用优良的变换控制技术(ZCS、ZVS) 、低损耗器件外, 加强散热是降低功率器件温升积累的重要手段。

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